GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料。GaN材料的制備主要采用氣相外延生長(cháng)的方法，石墨盤(pán)是外延生長(cháng)GaN晶體的必備耗材。由于石墨材料在高溫、腐蝕性氣體環(huán)境下會(huì )發(fā)生腐蝕掉粉現象，從而將粉體雜質(zhì)引入到單晶材料中。因此，涂覆高純度、均勻致密的保護涂層是解決該問(wèn)題的唯一方法。經(jīng)化學(xué)氣相沉積碳化硅涂層后的石墨盤(pán)具有耐高溫、抗氧化、純度高、耐酸堿鹽及有機試劑等特性，滿(mǎn)足高純度單晶生長(cháng)環(huán)境的需要，國外已將其作為一種新耗材在MOCVD外延生長(cháng)設備上大規模使用，但國內還沒(méi)有這一相關(guān)的產(chǎn)品。

      國防科技大學(xué)從2000年開(kāi)始，一直致力于化學(xué)氣相沉積碳化硅涂層制備技術(shù)應用研究，突破了碳化硅涂層制備的各項關(guān)鍵技術(shù)，具備了大尺寸（直徑700mm）碳化硅涂層制備能力，獲得國家發(fā)明專(zhuān)利授權1項。本實(shí)驗室制備的碳化硅涂層的特點(diǎn)是：（1）高溫抗氧化：溫度高達1600℃時(shí)抗氧化性能仍然非常好；（2）純度高、均勻、致密、顆粒細、無(wú)缺陷；（3）耐沖刷；（4）抗腐蝕性：耐酸、堿、鹽及有機試劑。該技術(shù)在石墨盤(pán)方面具有很好的推廣應用前景。

     碳化硅涂層石墨盤(pán)是各半導體廠(chǎng)家必不可少的耗材，目前，該產(chǎn)品全部依賴(lài)進(jìn)口，價(jià)格昂貴，且受制于人。因此，本實(shí)驗室開(kāi)發(fā)的碳化硅涂層石墨盤(pán)技術(shù)一旦實(shí)現產(chǎn)業(yè)化，將對我國的半導體行業(yè)具有重要的戰略意義和市場(chǎng)經(jīng)濟價(jià)值。